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氣源柜主要技術(shù)要求、現(xiàn)場安裝具備的條件和技術(shù)服務(wù)及質(zhì)量保證

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氣源柜主要技術(shù)要求、現(xiàn)場安裝具備的條件和技術(shù)服務(wù)及質(zhì)量保證

發(fā)布日期:2015-11-21 00:00 來源:http://ailampled.com 點擊:

氣源柜

氣源柜主要技術(shù)要求: 

  1 、各室極限真空度不差于 2 × 10-5Pa ;恢復(fù)工作真空時間短,從大氣到工作背景真空, 40 分鐘左右 ( 充干燥氮氣 ) 。   

  2 、此一體化設(shè)備主要包括防泄漏氣源柜,總電柜,一個進出樣品室,一個樣品預(yù)處理兼樣品過渡室,一個原位真空樣品傳送室,一個金屬濺射室和一個化學(xué)氣相沉積兼真空退火室;存放置樣品處尺寸以 3 英寸設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。  

  3 、樣品預(yù)處理室采用直流轟擊或離子源。  

  4 、濺射室:兩個直流濺射靶和一個 RF 濺射靶并分別配備擋板,三個獨立控制的微量氣源,襯底溫度不低于 400 OC 上下浮動范圍在 0.2OC 范圍內(nèi),襯底自轉(zhuǎn),樣品和蒸發(fā)基底處配有上擋板;能夠濺射磁性材料;獨立真空獲得系統(tǒng)。  

  5 、化學(xué)氣相沉積兼真空退火室:五路獨立控制的微量氣源,熱處理溫度不低于 1100 ℃ ,并預(yù)留原位低能或高能電子衍射譜連接口;獨立真空獲得系統(tǒng);升降溫度的速率可控,上下浮動范圍在 0.2 ℃ 范圍內(nèi)。 

  6 、樣品傳送室備有可以儲存不少于三個樣品的儲存處——氣源柜。 

   

  標(biāo)項二: 電子束與電阻蒸發(fā)復(fù)合鍍膜系統(tǒng) 一臺 

  主要技術(shù)要求: 

  復(fù)合鍍膜系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、 E 型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、兩路工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機臺及電控系統(tǒng)等部分組成。 

  1 、系統(tǒng)真空室: U 型水冷箱體活開門結(jié)構(gòu),尺寸大于 F 400mm ×550mm ; 

  2 、極限真空度: ≤6.67×10 -5 Pa ( 經(jīng)烘烤除氣后 ) ; 

  3 、系統(tǒng)真空檢漏漏率: ≤5.0×10 -7 Pa × l/s ; 

  4 、短時間( <45 分鐘)真空度可達到 5×10 -4 Pa 左右; 

  5 、水平旋轉(zhuǎn)基片加熱臺:可放置 4 英寸樣品,加熱最高溫度可達 800°C±1°C ; 

  6 、基片加熱臺與蒸發(fā)源之間的距離: 300mm - 350mm 可調(diào); 

  7 、垂直旋轉(zhuǎn)的絲狀樣品放置臺:安裝在側(cè)面的 16CF 法蘭接口上,電機驅(qū)動磁耦合機制控制,轉(zhuǎn)速 0-30rpm 可調(diào);絲狀樣品放置臺位于水平旋轉(zhuǎn)基片加熱臺正下方,可隨意拆卸; 

  8、 電阻蒸發(fā)源:水冷電極 3 根,蒸發(fā)電源最大輸出功率至少 2.5KW ; 

  9 、電子槍及電源: 270oE 型電子槍,功率 0-6KW 可調(diào),陽極電壓為 6KV 、 8KV ; 

  10 、離子轟擊系統(tǒng)的接口:在該設(shè)備的腔體上正后方加工一個安裝離子轟擊系統(tǒng)的口徑約為 150mm 的轉(zhuǎn)接口; 

  11 、水冷式坩鍋:四穴坩鍋,每個容量至少 10ml ,單穴結(jié)構(gòu)為圓臺型; 

  12 、石英晶體振蕩膜厚儀:厚度分辨率為 1? ,厚度顯示范圍為 0 ~ 99μm ; 

  13 、兩路工作氣路:分別配備 100SCCM 和 200SCCM 的質(zhì)量流量控制器各一套。 

   

  技術(shù)服務(wù)及質(zhì)量保證: 

  1 、提供該設(shè)備的技術(shù)使用說明書及外購配件儀器儀表說明書——氣源柜; 

  2 、在驗收后,一年內(nèi)免費維修,并終身維修。 

   

  現(xiàn)場安裝具備的條件: 

  1 、電源 380V 50Hz 功率大于 10KW ; 

  2 、可靠地線 , 對地電阻小于 2Ω ; 

  3 、具有循環(huán)冷卻水; 

  4 、安裝場地面積 25M 2 , 高度高于 2.4M ; 

  5 、要求有普通氮氣,壓強要在 2 ~ 3 個大氣壓之間; 

  6 、外排廢氣管道;

相關(guān)標(biāo)簽:配氣柜廠家

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