氣源柜主要技術(shù)要求、現(xiàn)場安裝具備的條件和技術(shù)服務(wù)及質(zhì)量保證

氣源柜主要技術(shù)要求： 

　　1 、各室極限真空度不差于 2 × 10-5Pa ；恢復(fù)工作真空時間短，從大氣到工作背景真空， 40 分鐘左右 ( 充干燥氮氣 ) 。 　 

　　2 、此一體化設(shè)備主要包括防泄漏氣源柜，總電柜，一個進出樣品室，一個樣品預(yù)處理兼樣品過渡室，一個原位真空樣品傳送室，一個金屬濺射室和一個化學(xué)氣相沉積兼真空退火室；存放置樣品處尺寸以 3 英寸設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。  

　　3 、樣品預(yù)處理室采用直流轟擊或離子源。  

　　4 、濺射室：兩個直流濺射靶和一個 RF 濺射靶并分別配備擋板，三個獨立控制的微量氣源，襯底溫度不低于 400 OC 上下浮動范圍在 0.2OC 范圍內(nèi)，襯底自轉(zhuǎn)，樣品和蒸發(fā)基底處配有上擋板；能夠濺射磁性材料；獨立真空獲得系統(tǒng)。  

　　5 、化學(xué)氣相沉積兼真空退火室：五路獨立控制的微量氣源，熱處理溫度不低于 1100 ℃ ，并預(yù)留原位低能或高能電子衍射譜連接口；獨立真空獲得系統(tǒng)；升降溫度的速率可控，上下浮動范圍在 0.2 ℃ 范圍內(nèi)。 

　　6 、樣品傳送室備有可以儲存不少于三個樣品的儲存處——氣源柜。 

　　標(biāo)項二： 電子束與電阻蒸發(fā)復(fù)合鍍膜系統(tǒng) 一臺 

　　主要技術(shù)要求： 

　　復(fù)合鍍膜系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、 E 型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、兩路工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機臺及電控系統(tǒng)等部分組成。 

　　1 、系統(tǒng)真空室： U 型水冷箱體活開門結(jié)構(gòu)，尺寸大于 F 400mm ×550mm ； 

　　2 、極限真空度： ≤6.67×10 -5 Pa ( 經(jīng)烘烤除氣后 ) ； 

　　3 、系統(tǒng)真空檢漏漏率： ≤5.0×10 -7 Pa × l/s ； 

　　4 、短時間（ <45 分鐘）真空度可達到 5×10 -4 Pa 左右； 

　　5 、水平旋轉(zhuǎn)基片加熱臺：可放置 4 英寸樣品，加熱最高溫度可達 800°C±1°C ； 

　　6 、基片加熱臺與蒸發(fā)源之間的距離： 300mm － 350mm 可調(diào)； 

　　7 、垂直旋轉(zhuǎn)的絲狀樣品放置臺：安裝在側(cè)面的 16CF 法蘭接口上，電機驅(qū)動磁耦合機制控制，轉(zhuǎn)速 0-30rpm 可調(diào)；絲狀樣品放置臺位于水平旋轉(zhuǎn)基片加熱臺正下方，可隨意拆卸； 

　　8、 電阻蒸發(fā)源：水冷電極 3 根，蒸發(fā)電源最大輸出功率至少 2.5KW ； 

　　9 、電子槍及電源： 270oE 型電子槍，功率 0-6KW 可調(diào)，陽極電壓為 6KV 、 8KV ； 

　　10 、離子轟擊系統(tǒng)的接口：在該設(shè)備的腔體上正后方加工一個安裝離子轟擊系統(tǒng)的口徑約為 150mm 的轉(zhuǎn)接口； 

　　11 、水冷式坩鍋：四穴坩鍋，每個容量至少 10ml ，單穴結(jié)構(gòu)為圓臺型； 

　　12 、石英晶體振蕩膜厚儀：厚度分辨率為 1? ，厚度顯示范圍為 0 ～ 99μm ； 

　　13 、兩路工作氣路：分別配備 100SCCM 和 200SCCM 的質(zhì)量流量控制器各一套。 

　　技術(shù)服務(wù)及質(zhì)量保證： 

　　1 、提供該設(shè)備的技術(shù)使用說明書及外購配件儀器儀表說明書——氣源柜； 

　　2 、在驗收后，一年內(nèi)免費維修，并終身維修。 

　　現(xiàn)場安裝具備的條件： 

　　1 、電源 380V 50Hz 功率大于 10KW ； 

　　2 、可靠地線 , 對地電阻小于 2Ω ； 

　　3 、具有循環(huán)冷卻水； 

　　4 、安裝場地面積 25M 2 , 高度高于 2.4M ； 

　　5 、要求有普通氮氣，壓強要在 2 ～ 3 個大氣壓之間； 

　　6 、外排廢氣管道；